鋯靶材的主要性能要求

更新時間:2015-12-16 14:47:57    來源:互聯網

純度是靶材的主要性能指標之一,因為鋯靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中,對靶材的純度要求也不盡相同。例如,隨著微電子行業的迅速發展,硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求,而制備0.18um線條對鋯靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質含量
    靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的鋯靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如,半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
    為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,通常要求靶材具有較高的密度。鋯靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
    通常靶材為多晶結構,晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種鋯靶材,晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。
 
 
鈦靶材/鎳靶材/鋯靶材/鈦鋁靶材等
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